東京工科大学　工学部　電気電子工学科　ブログ

　今日は、電気電子工学科の高木です。

　昨年の12月に開催された国際学会International Symposium on Semiconductor Manufacturing(ISSM)で発表した内容が、Best paper awardを受賞しました。この内容をベースに新しい内容を加えた論文がIEEE Transactions on Semiconductor Manufacturingに受理されオンライン版に掲載されました。

　半導体のプロセス開発や装置開発では、実験による評価結果をもとに行われています。とくに、薬液を使わないドライプロセスの開発では、反応が複雑なプラズマが使われるため、実験に依存するところが大きくなっています。

　プロセスに使われるプラズマは、気体に高い電圧を印加すると期待の分子が、原子、イオンに分解された状態で、雷もプラズマの１つです。これをプロセス用装置で発生させますが、ドライプロセスに望ましい状態に適正化する必要があります。

　この適正化にプラズマシミュレーヨンと遺伝的アルゴリズムを組合せ、自動的に最適条件を見つけ出す手法を開発したのが今回の研究です。遺伝的アルゴリズムは、生物の進化過程を最適化に適用するAI(Artificial Intelligence)手法で１つです。計算機が300を超える条件を計算して、最も適した条件を選び出しました。

　ISSMでBest paper awardに選ばれたに発表には論文化するチャンスが与えられました。“Optimization of RF Frequencies in Dual-frequency Capacitively Coupled Plasma Apparatus Using Genetic Algorithm (GA) and Plasma Simulation”のタイトルで4月14日に投稿しました。5月25日に受理され、以下のアドレスにオンライン掲載されています。7月23日のオープンキャンパスでは適正化の研究展示も行います。

DOI 10.1109/TSM.2023.3282566